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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
95
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
95
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
1518
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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