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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2608
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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