RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
62
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
3077
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link