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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-S6 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-S6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-S6 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-S6 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
62
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,374.7
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-S6 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
62
48
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
5,347.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
2,374.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
6400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
919
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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