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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
62
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
3112
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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