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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
62
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
2613
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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