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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Puntuación global
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 15.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 62
    En -72% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 1,658.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,216.7 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,658.4 left arrow 11.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    688 left arrow 2497

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM

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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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