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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
62
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
3009
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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