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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
68
En -94% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
2731
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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