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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
68
85
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
2,013.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
85
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
1118
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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