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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
68
En -74% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
2680
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
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