RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
117
En -290% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
3106
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link