RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
117
En -350% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
4084
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link