RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
117
En -333% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
3845
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link