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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
117
En -208% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
3005
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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