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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
117
En -318% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
2,303.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
2312
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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