RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
117
En -388% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
2196
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link