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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
68
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3257
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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