RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En -134% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3432
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link