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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
68
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2283
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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