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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
63
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
2706
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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