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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
2962
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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