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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
3648
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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