RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
3531
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link