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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
2537
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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