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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
3116
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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