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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
2322
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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