RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
55
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
55
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
2701
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link