RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
70
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3085
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link