RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
70
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
3,071.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2443
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link