RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
70
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
3,071.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1974
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link