RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
70
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
3,071.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1997
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link