RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
45
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2190
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link