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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3418
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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