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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3299
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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