RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3178
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link