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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2856
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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