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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3085
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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