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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
28
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
19
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3192
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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