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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2227
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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