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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2489
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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