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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2833
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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