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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2297
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
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