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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
65
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
1981
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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