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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Puntuación global
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,781.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,269.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,781.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
618
3140
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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