RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Compara
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Puntuación global
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
54
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,781.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,269.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,781.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
618
3288
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link