RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
54
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,781.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,269.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,781.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
618
2346
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link