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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
63
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,110.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
63
59
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
4,691.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
2,110.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
5300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
653
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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