RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2800
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link