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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
3120
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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